Город: Tolyatti
Contacts of managers
 
 
8482 51-75-70
 
Администрация 
108368371 - Сергей
 
5 декабря 2013 

Flash-память

Flash-память — это разновидность твердотельной полупроводниковой энергонезависимой перезаписываемой памяти.

Flash-память может быть прочитана сколько угодно раз, но писать в такую память можно лишь ограниченное число раз (обычно около 10 тысяч раз).

Благодаря компактности, дешевизне, механической прочности, большому объему, скорости работы и низкому энергопотреблению Flash-память широко используется в цифровых портативных устройствах и носителях информации. В настоящее время выпускается два основных типа Flash-памяти: NOR (логика ячеек NOT OR) и NAND (логика ячеек NOT AND). В обоих типах памяти в качестве элементарных ячеек хранения информации используются полевые двухзатворные МОП-транзисторы (транзисторы с плавающим затвором). Далее мы рассмотрим оба типа подробнее.

Тип Flash-памяти NOR

В основе этого типа Flash-памяти находится NOT OR элемент, так как в транзисторе с плавающим затвором низкий уровень электронов обозначает единицу. Транзистор имеет два изолированных затвора: управляющийся и плавающий. Последний способен удерживать электроны в течение нескольких лет. В ячейке имеются так же сток и исток. При программировании между ними, вследствие воздействия положительного поля на управляющем затворе, появляется поток электронов. Некоторые из электронов, благодаря наличию большей энергии, преодолевают слой изолятора и попадают на плавающий затвор, где и впоследствии храняться. При чтении низкий уровень заряда на плавающем затворе соответствует единице, а заряд выше порогового значения — нулю. Для стирания информации на управляющий затвор подаётся высокое отрицательное напряжение, и электроны с плавающего затвора переходят (туннелируют) на исток. В NOR архитектуре к каждому транзистору необходимо подвести индивидуальный контакт, что увеличивает размеры схемы. Эта проблема решается с помощью NAND архитектуры.

Тип Flash-памяти NAND

В основе NAND типа лежит NOT AND элемент (англ. NAND). Принцип работы тот же, что у NOR. Главное отличие в размещении ячеек и их контактов. В результате уже не требуется подводить индивидуальный контакт к каждой ячейке, поэтому размер и стоимость NAND чипа может быть существенно меньше. Запись и стирание происходит быстрее. Однако, данная архитектура не позволяет обращаться к произвольной ячейке.

На сегодняшний день архитектуры NAND и NOR существуют параллельно и не конкурируют друг с другом, поскольку находят применение в разных областях хранения данных.

История Flash-памяти

Flash-память была открыта Фудзи Масуока в 1984 году. Масуока представил свою разработку на международном семинаре по электронным устройствам (IEDM), проходившей в Сан-Франциско в том же году. Компания Intel в 1988 году выпустила первый коммерческий флеш-чип NOR типа. Тип Flash-памяти NAND был анонсирован компанией Toshiba в 1989 году. У представленного типа была выше скорость записи и меньше площадь чипа.

Стандартизацией чипов Flash-памяти типа NAND занимается рабочая группа ONFI. Текущим стандартом считается спецификация ONFI версии 1.0, выпущенная в 28 декабря 2006 года. Группа ONFI поддерживается крупнейшими производителями NAND чипов: Intel, Micron Technology и Sony.

На данный момент максимальный объем памяти имеет представленная компанией Toshiba Flash-память, емкостью 128 Гб.